参数资料
型号: DMP3098L-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
产品目录绘图: SOT-23 Package Top
SOT-23 Package Side 1
SOT-23 Package Side 2
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫欧 @ 3.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 336pF @ 25V
功率 - 最大: 1.08W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMP3098LDIDKR
DMP3098L
20
20
V DS = -5V
16
V GS = -10V
16
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 25°C
12
8
4
V GS = -4.5V
12
8
4
T A = -55°C
0
0
V GS = -3.0V
V GS = -1.5V   V GS = -2.5V
1 2 3 4 5
0
1
2 3 4 5
6
1
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.14
0.12
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
T A = 150°C
T A = 125°C
0.1
V GS = -4.5V
0.10
0.08
0.06
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
V GS = -10V
0.04
0.02
0.01
0
4 8 12 16
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
20
0
0
2 4 6 8
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
10
1.6
1,000
1.4
1.2
1.0
V GS = -10V
I D = -5.3A
V GS = -4.5V
I D = -4.2A
100
C iss
C oss
C rss
0.8
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
10
0
5 10 15 20 25
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
30
DMP3098L
Document number: DS31447 Rev. 8 - 2
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www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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DMP3098LSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR