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参数资料
| 型号： | DMP4015SPS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 9.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47.5nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4234pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI5060-8（4.9x5.8） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP4015SPS-13DIDKR |
DMP4015SPS
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
30
25
20
15
10
5
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1000
f = 1MHz
10000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A =150°C
C ISS
1000
T A =125°C
T A =85°C
100
100
C OSS
10
C RSS
1
T A =25°C
10
10
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
30
0.1
0 5 10 15 20 25 30
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
90
600
Starting Temperature (T J ) = 25°C
80
8
500
E AS
70
6
400
60
50
300
40
4
2
200
100
I AS
30
20
10
0
0
20 40 60 80 100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
120
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
INDUCTOR (mH)
Fig. 12 Single-Pulse Avalanche Tested
0
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
DMP4015SPS
Document number: DS35518 Rev. 9 - 2
4 of 6
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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