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参数资料
| 型号： | DMS3012SFG-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 30V POWERDI 3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 13.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4310pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3012SFG-7DIDKR |
DMS3012SFG
10,000
f = 1MHz
10,000
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
1,000
C iss
100
T A = 85°C
C oss
10
C rss
T A = 25°C
100
0
5 10 15
20
1
0
10
20
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = 15V
I D = 13.5A
0
0
5
10 15 20 25 30 35
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 14 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
DMS3012SFG
Document number: DS35441 Rev. 7 - 2
6 of 8
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMS3014SFG-7 | MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8 |
| DMS3014SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
| DMS3015SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
| DMS3016SFG-13 | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 |
| DMS3016SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMS3014SFG-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS3014SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMS3014SSS-13 | 功能描述:MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS3015SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMS3015SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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