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参数资料
| 型号： | DMS3014SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2296pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3014SSS-13DIDKR |
DMS3014SSS
0.05
0.04
V GS = 4.5V
0.04
0.03
0.03
T A = 150°C
0.02
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.02
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.01
V GS = 10V
0.01
T A = -55°C
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
V GS = 4.5V
0.03
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
I D = 10A
V GS = 10V
0.02
1.2
I D = 20A
V GS = 4.5V
I D = 10A
1.0
0.8
0.01
V GS = 10V
I D = 20A
0.6
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
3.0
2.5
2.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
18
16
14
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
12
T A = 25°C
1.5
1.0
0.5
I D = 10mA
10
8
6
4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMS3014SSS
Document number: DS32265 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMS3015SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
| DMS3016SFG-13 | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 |
| DMS3016SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8 |
| DMS3016SSSA-13 | MOSFET N-CH SCHOT 30V 9.8A SO-8 |
| DMS3017SSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMS3015SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMS3015SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMS3016SFG-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| DMS3016SFG-7 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| DMS3016SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
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