参数资料
型号: DMS3014SSS-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 11A SO8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫欧 @ 10.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 45.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2296pF @ 15V
功率 - 最大: 1.55W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: DMS3014SSS-13DIDKR
DMS3014SSS
Ordering Information (Note 8)
Part Number
DMS3014SSS-13
Case
SO-8
Packaging
2500 / Tape & Reel
Notes:
8. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
8
5
Logo
S3014SS
Part no.
YY WW
Xth week: 51 ~ 53
Year: “08” = 2008
1
4
“09 ” = 2009
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
0.10
0.20
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A2
A3
1.30
0.15
1.50
0.25
b
0.3
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
h
7 °~ 9 °
E1
3.85
3.95
45 °
e
1.27 Typ
A2 A A3
Detail ‘A’
h
L
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMS3014SSS
Document number: DS32265 Rev. 3 - 2
C2
C1
Y
C1
C2
5 of 6
www.diodes.com
1.55
5.4
1.27
September 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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