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参数资料
| 型号： | DMS3015SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.9 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1276pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3015SSS-13DIDKR |
DMS3015SSS
0.020
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.008
V GS = 4.5V
0.008
0.006
0.004
0.002
V GS = 10V
0.006
0.004
0.002
T A = -55°C
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
5 10 15 20 25 30
I D , DRAIN CURREN T (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.7
1.5
1.3
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
V GS = 4.5V
1.1
0.9
V GS = 10V
I D = 10A
0.010
0.008
0.006
I D = 5A
V GS = 10V
0.7
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.004
I D = 10A
0.002
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
30
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.5
I D = 1mA
20
T A = 25°C
15
1.0
10
5
0.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.0
DMS3015SSS
Document number: DS32096 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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