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参数资料
| 型号： | DMS3015SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.9 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1276pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3015SSS-13DIDKR |
DMS3015SSS
10,000
f = 1MHz
10,000
1,000
T A = 150°C
1,000
100
C rss
C iss
C oss
100
10
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
30
1
0
5 10 15 20 25 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
V DS = 15V
I D = 8.8A
0
0
5
10 15 20 25 30 35
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.01
D = 0.02
R θ JA = 68°C/W
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
-T
0.001
D = Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
DMS3015SSS
Document number: DS32096 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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