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参数资料
| 型号： | DMS3016SFG-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 11.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1886pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 980mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | PowerDI3333-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMS3016SFG-13DIDKR |
DMS3016SFG
30
V GS = 10V
30
V GS = 150°C
25
20
V GS = 3.0V
25
20
V DS = 5V
15
10
V GS = 2.5V
15
10
V GS = 125°C
5
V GS = 1.8V
V GS = 2.0V
V GS = 2.2V
5
V GS = 85°C
V GS = 25°C
0
0
0.5 1 1.5
2
0
0
0.5
1 1.5 2
V GS = -55°C
2.5 3
3.5
4
0.02
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Output Characteristics
0.024
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 5 Typical Transfer Characteristic
0.018
0.016
0.014
0.012
V GS = 4.5V
0.022
0.02
0.018
0.016
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
0.014
0.01
0.012
T A = 25°C
0.008
0.006
0.004
V GS = 10V
0.01
0.008
0.006
T A = -55°C
0.004
0.002
0.002
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10 15 20 25
30
1.7
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 6 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.02
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 7 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.5
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.018
0.016
V GS = 4.5V
I D = 5A
1.3
V GS = 10V
I D = 10A
0.014
0.012
1.1
0.01
V GS = 10V
I D = 10A
0.008
0.9
0.7
0.006
0.004
0.002
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated.
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 9 On-Resistance Variation with Temperature
DMS3016SFG
Document number: DS35434 Rev. 7 - 2
4 of 7
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
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