参数资料
型号: DMS3016SSSA-13
厂商: Diodes Inc
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH SCHOT 30V 9.8A SO-8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫欧 @ 9.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1849pF @ 15V
功率 - 最大: 1.54W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: DMS3016SSSA-13DIDKR
DMS3016SSSA
3.0
2.5
2.0
1.5
I D = 100mA
20
16
12
T A = 25°C
8
1.0
0.5
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
f = 1MHz
T A = 125°C
1,000
C iss
C oss
1,000
100
T A = 85°C
100
C rss
10
T A = 25°C
10
0
5 10 15 20 25
30
1
0
10
20
30
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
8
V DS = 15V
I D = 12.7A
6
4
2
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40
45
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
DMS3016SSSA
Document number: DS35073 Rev. 1 - 2
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www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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DNT2400DK DEVELOPMENT KIT FOR DNT2400 MOD
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参数描述
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