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参数资料
| 型号： | DPG30I300HA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE HFRED 300V 30A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.34V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-2 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q4408123 |
   DPG30I300HA ns 3 A TVJ =°C25 reverse recovery time A 7 35 55 ns IRM max. reverse recovery current IF =A;30 VR =V200 T=125°CVJ -diF/dt =A/μs200 trr TVJ =°C25 T=125°CVJ V = VR 300 Symbol Definition Ratings typ. max. IR V IFAV A VF 1.34 RthJC 0.95 K/W min. 30 VRSM V 1 T = 25°CVJ T = °CVJ 150 mA 0.1 V = VR 300 T = 25°CVJ I = AF 30 V T = °CC 140 Ptot 160 W T = 25°CC RthCH K/W max. non-repetitive reverse blocking voltage reverse current, drain current forward voltage drop total power dissipation Conditions Unit 1.63 T = 25°CVJ VF0 V 0.70 T = °CVJ 175 rF 10.5 m? V 1.06 T = °CVJ 150 I = AF 30 V 1.39 I = AF 60 I = AF 60 threshold voltage slope resistance for power loss calculation only μA VRRM V 300 max. repetitive reverse blocking voltage T = 25°CVJ CJ 42 junction capacitance V = VR 150 T = 25°Cf = 1 MHz VJ pF IFSM t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR VJ max. forward surge current T = °CVJ 175 360 A rectangular 0.5d = average forward current thermal resistance junction to case thermal resistance case to heatsink Fast Diode 300 0.25 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. 20131125b Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified ? 2013 IXYS all rights reserved |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DPG30I300PA | DIODE HFRED 300V 30A TO-220 |
| DPG60I300HA | DIODE HFRED 300V 60A TO-247AD |
| DPG60I400HA | DIODE HFRED 400V 60A TO-247 |
| DPG60IM300PC | DIODE HFRED 300V 60A TO-263 |
| DPG60IM400QB | DIODE HFRED 400V 60A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DPG30I300PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG30I400HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HiPerFRED 2nd Gen Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG30IM300PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HiPerFRED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG30P300PJ | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HiPerFRED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG314-838G | 制造商:FCI 功能描述: |
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