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参数资料
| 型号： | DPG30I300HA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE HFRED 300V 30A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.34V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 300V |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-2 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q4408123 |
    DPG30I300HA 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 10 20 30 40 50 60 0200400100 300 500 20 30 40 rr 50 60 70 80 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 0 40 80 120 160 0.2 0.4 0.6 Kf 0.8 1.0 1.2 1.4 TVJ [ -diF /dt [A/μs] °C] t[s] 0 100 200 300 400 500 100 200 300 400 [ns] 500fr 600 700 800 2 4 6 V8 FR [V] FR 10 12 14 16 0 100 200 300 400 500 4 8 12 16 0 100 200 300 400 500 0.1 C] 0.2 Q 0.3r 0.4 0.5 [μ VF [V] -diF/dt [A/μs] ZthJC [K/W] IF = 60 A 30 A 15 A IF = 60 A 30 A 15 A IRM Qrr IF = 60 A 30 A 15 A V tfr 125°C VR = 200 V IF = 30 A diF/dt = 500 A/μs TVJ =125°C VR = 200 V TVJ =125°C VR = 200 V IF =30 A TVJ =125°C VR = 200 V TVJ =150°C TVJ = 125°C VR =200 V Fig. 1 Forward current IF versus VF Fig. 2 Typ. reverse recov. charge Qr versus -diF/dt Fig. 3 Typ. peak reverse current IRM versus -diF/dt Fig. 4 Typ. dynamic parameters Qr,IRM versus TVJ Fig. 5 Typ. recovery time trrversus -diF/dt Fig. 6 Typ. peak forward voltage VFR and tfr versus diF/dt Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case 25°C IF [A] -diF/dt [A/μs] IRM [A] t [ns] -diF/dt [A/μs] t 0 100 200 300 400 500 2 4 6 8 10 Erec 12 14 [μJ] -diF/dt [A/μs] Fig. 7 Typ. recovery energy Erec versus -diF/dt IF=5 A 10 A 20 A TVJ=125°C VR = 200 V Rthi [K/W] 0.1311 0.1377 0.3468 0.2394 0.095 t i [s] 0.0018 0.002 0.012 0.07 0.345 Fast Diode IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. 20131125b Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified ? 2013 IXYS all rights reserved |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DPG30I300PA | DIODE HFRED 300V 30A TO-220 |
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| DPG60I400HA | DIODE HFRED 400V 60A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DPG30I300PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG30I400HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HiPerFRED 2nd Gen Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG30IM300PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HiPerFRED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG30P300PJ | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HiPerFRED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG314-838G | 制造商:FCI 功能描述: |
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