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参数资料
| 型号： | DPG60C200HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 描述： | DIODE HFRED 200V 2X30A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.34V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DPG60C200HB
ns
3
A
TVJ
=°C25
reverse recovery time
A
7
35
55
ns
IRM
max. reverse recovery current
IF
=A;30
VR
=V130
T=125°CVJ
-diF/dt
=A/μs200
trr
TVJ
=°C25
T=125°CVJ
V = VR
200
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
1.34
RthJC
0.95 K/W
min.
30
VRSM
V
1
T = 25°CVJ
T = °CVJ
150
mA
0.1
V = VR
200
T = 25°CVJ
I = AF
30
V
T = °CC
140
Ptot
160
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
1.63
T = 25°CVJ
VF0
V
0.70
T = °CVJ
175
rF
10.5
m?
V
1.06
T = °CVJ
150
I = AF
30
V
1.39
I = AF
60
I = AF
60
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
200
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
42
junction capacitance
V = VR
150 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
360
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Fast Diode
200
0.25
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DPG60C200QB | DIODE HFRED 200V 2X30A TO-3P |
| DPG60C300HB | DIODE HFRED 300V 2X30A TO-247AD |
| DPG60C300HJ | DIODE FRED 300V 2X30A ISOPLUS247 |
| DPG60C300PC | DIODE HFRED 300V 2X30A TO-263 |
| DPG60C300QB | DIODE HFRED 300V 2X30A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DPG60C200QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C300HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C300HJ | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C300PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C300QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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