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参数资料
| 型号： | DPG60C200HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 描述： | DIODE HFRED 200V 2X30A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.34V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DPG60C200HB
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
10
20
[A]
30
40
I
50
F
60
70
80
0 200 400 600
20
30
[ns]
40
50
60
70
110100100010000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0 40 80 120 160
Q
0.2
rr
0.4
0.6
Kf
0.8
1.0
1.2
1.4
TVJ
[°C]
-diF/dt [A/μs]
t[ms]
0 200 400 600
0
100
200
300
400
500
600
0
2
4
6
8
10
12
0 200 400 600
2
4
[A]
6
8
10
12
14
16
0 200 400 600
0.1
0.2
0.3
0.4
IF
= 60 A
Qrr
[μC]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
ZthJC
[K/W]
IF
=60 A
30 A
15 A
IRM
VFR
tfr
TVJ
= 150°C
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recov. current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov, time
trrversus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recov. voltage
VFRand tfr
versus diF/dt
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case
25°C
-diF/dt [A/μs]
IRM
trr
-diF/dt [A/μs]
tfr
[ns]
0 200 400 600
2
4
J]6
rec
8
10
12
14
16
E
[μ
-diF/dt [A/μs]
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
IF
= 15 A
30 A
60 A
30 A
15 A
IF
= 60 A
30 A
15 A
TVJ
=125°C
VR
= 130 V
TVJ
=125°C
VR
= 130 V
TVJ
= 125°C
VR
= 130 V
TVJ
= 125°C
VR
= 130 V
TVJ
=125°C
VR
= 130 V
IF
=30A
VFR
[V]
Rthi
[K/W]
0.1311
0.1377
0.3468
0.2394
0.095
ti
[s]
0.0018
0.002
0.012
0.07
0.345
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DPG60C200QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C300HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DPG60C300HJ | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 60 Amps 300V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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