参数资料
型号: DS1220AB-100
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: Static RAM
英文描述: 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, PDIP24
封装: 0.720 INCH, EXTENDED, DIP-24
文件页数: 5/9页
文件大小: 136K
代理商: DS1220AB-100
DS1220AB/AD
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AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(cont’d)
DS1220AB-150
DS1220AD-150
DS1220AB-200
DS1220AD-200
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
150
200
ns
Access Time
tACC
150
200
ns
OE to Output Valid
tOE
70
100
ns
CE to Output Valid
tCO
150
200
ns
OE or CE to Output Active
tCOE
5
5ns
5
Output High Z from
Deselection
tOD
35
ns
5
Output Hold from Address
Change
tOH
5
5ns
Write Cycle Time
tWC
150
200
ns
Write Pulse Width
tWP
100
150
ns
3
Address Setup Time
tAW
00
ns
Write Recovery Time
tWR1
tWR2
0
10
0
10
ns
12
13
Output High Z from WE
tODW
35
ns
5
Output Active from WE
tOEW
5
5ns
4
Data Setup Time
tDS
60
50
ns
4
Data Hold Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
ns
12
13
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