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参数资料
| 型号： | DS1220Y-100 |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | Static RAM |
| 英文描述： | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA24 |
| 封装： | 0.720 INCH,DIP-24 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 390K |
| 代理商： | DS1220Y-100 |
NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS
DS1220Y
4 of 9
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA : See Note 10; VCC =5.0V ± 10%)
DS1220Y-100
DS1220Y-120
DS1220Y-150
DS1220Y-200
PARAMETER
SYM
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTE
Read Cycle Time
tRC
100
120
150
200
ns
Access Time
tACC
100
120
150
200
ns
OE
to Output
Valid
tOE
50
60
70
100
ns
CE
to Output
Valid
tCO
100
120
150
200
ns
OE
or CE to
Output Active
tCOE
5
ns
5
Output High-Z
from Deslection
tOD
35
ns
5
Output Hold from
Address Change
tOH
5
ns
Write Cycle Time
tWC
100
120
150
200
ns
Write Pulse Width
tWP
75
90
100
150
ns
3
Address Setup
Time
tAW
0
ns
Write Recovery
Time
tWR1
tWR2
0
10
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
Output High-Z
from WE
tODW
35
ns
5
Output Active
from WE
tOEW
5
ns
5
Data Setup Time
tDS
40
50
60
80
ns
4
Data Hold Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
0
10
0
10
ns
12
13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1220Y-200 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP24 |
| DS1220Y-150 | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP24 |
| DS1220Y | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP24 |
| DS1222S | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDSO16 |
| DS1222 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP14 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1220Y-100+ | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:NVRAM NVSRAM PARALLEL 16KBIT 5V - Rail/Tube |
| DS1220Y-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1220Y-100IND+ | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1220Y-120 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:16k Nonvolatile SRAM |
| DS1220Y-120+ | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:RAM NV 16K-120NS LEAD FREE - Rail/Tube |
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