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参数资料
| 型号： | DS1220Y-150 |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | Static RAM |
| 英文描述： | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP24 |
| 封装： | 0.720 INCH, EXTENDED, DIP-24 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | DS1220Y-150 |
DS1220Y
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1220Y | 2K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP24 |
| DS1222S | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDSO16 |
| DS1222 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP14 |
| DS1225AB-170 | 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 170 ns, DMA28 |
| DS1225AB | 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1220Y-150+ | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1220Y-150-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1220Y-200 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1220Y-200+ | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1220Y-200-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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