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参数资料
| 型号： | DS1225AB-170+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 64KBIT 170NS 28DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 170ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 28-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1225AB/AD
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature
Lead Temperature (soldering, 10s)
-0.3V to +6.0V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-40°C to +85°C
+260°C
Note: EDIP is wave or hand soldered only.
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect
reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
DS1225AB Power Supply Voltage
DS1225AD Power Supply Voltage
Logic 1
Logic 0
SYMBOL
V CC
V CC
V IH
V IL
MIN
4.75
4.50
2.2
0.0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V CC
+0.8
UNITS
V
V
V
V
NOTES
(T A : See Note 10)
(V CC =5V ± 5% for DS1225AB)
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V CC =5V ± 10% for DS1225AD)
PARAMETER
Input Leakage Current
I /O Leakage Current
CE > V IH < V CC
SYMBOL
I IL
I IO
MIN
-1.0
-1.0
TYP
MAX
+1.0
+1.0
UNITS
μ A
μ A
NOTES
Output Current @ 2.4V
Output Current @ 0.4V
I OH
I OL
-1.0
2.0
mA
mA
Standby Current CE =2.2V
Standby Current CE =V CC -0.5V
Operating Current
(Commercial)
Operating Current
(Industrial)
I CCS1
I CCS2
I CC01
I CC01
5.0
3.0
10.0
5.0
75
85
mA
mA
mA
mA
Write Protection Voltage
(DS1225AB)
Write Protection Voltage
(DS1225AD)
V TP
V TP
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
V
V
CAPACITANCE
(T A = +25°C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
5
5
MAX
10
10
UNITS
pF
pF
NOTES
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1220AB-150IND+ | IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP |
| DS1220AB-120+ | IC NVSRAM 16KBIT 120NS 24DIP |
| FA5S008HP1 | CONN FPC/FFC 8POS 0.5MM R/A SMD |
| AYF214135 | CONN FPC 0.2MM 41POS SMD R/A |
| DS2502X1 | IC OTP 1KBIT 2FCHIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1225AB-170+ | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1225AB-170-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM |
| DS1225AB-200 | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1225AB-200+ | 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1225AB-200IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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