参数资料
型号: DS1225AD-70
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: Static RAM
英文描述: 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDIP28
封装: 0.720 INCH, EXTENDED, DIP-28
文件页数: 6/10页
文件大小: 147K
代理商: DS1225AD-70
DS1225AB/AD
5 of 10
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (cont’d)
DS1225AB- 150
DS1225AD- 150
DS1220AB-200
DS1220AD-200
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
150
200
ns
Access Time
tACC
150
200
ns
OE to Output Valid
tOE
70
100
ns
CE to Output Valid
tCO
150
200
ns
OE or CE to Output Active
tCOE
5
5ns
5
Output High Z from Deselection
tOD
35
ns
5
Output Hold from Address
Change
tOH
5
5ns
Write Cycle Time
tWC
150
200
ns
Write Pulse Width
tWP
100
ns
3
Address Setup Time
tAW
00
ns
Write Recovery Time
tWR1
tWR2
0
10
0
10
ns
12
13
Output High Z from WE
tODW
35
ns
5
Output Active from WE
tOEW
5
5ns
5
Data Setup Time
tDS
60
80
ns
4
Data Hold Time
tDH1
tDH2
0
10
0
10
ns
12
13
相关PDF资料
PDF描述
DS1225AB-200 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28
DS1225Y-170 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 170 ns, PDIP28
DS1225Y-150 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP28
DS1225Y 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28
DS1230AB 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28
相关代理商/技术参数
参数描述
DS1225AD-70+ 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1225AD70IND 制造商:UNBRANDED 功能描述:ELECTRONIC PARTS DM54LS283W THROUGH*NIC*
DS1225AD-70IND 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1225AD-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1225AD-70IND+ 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube