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参数资料
| 型号： | DS1230AB-100-IND |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于电池） |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 469K |
| 代理商： | DS1230AB-100-IND |
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072601
FEATURES
§ 10 years minimum data retention in the
absence of external power
§ Data is automatically protected during power
loss
§ Replaces 32k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
§ Unlimited write cycles
§ Low-power CMOS
§ Read and write access times as fast as 70 ns
§ Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
§ Full
±10% V
CC operating range (DS1230Y)
§ Optional
±5% V
CC operating range
(DS1230AB)
§ Optional industrial temperature range of
-40
°C to +85°C, designated IND
§ JEDEC standard 28-pin DIP package
§ PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PowerCap allows
easy removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A14
- Address Inputs
DQ0 - DQ7
- Data In/Data Out
CE
- Chip Enable
WE
- Write Enable
OE
- Output Enable
VCC
- Power (+5V)
GND
- Ground
NC
- No Connect
DS1230Y/AB
256k Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
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27
28-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A14
A7
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ0
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ5
DQ6
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A12
A6
DQ2
GND
DQ4
DQ3
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NC
2
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NC
VCC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
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DQ1
DQ0
GND
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NC
A14
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A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34
NC
GND VBAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230AB-120-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-150-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-200-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-55 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-70 | NVRAM (Battery Based) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230AB-120 | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-120+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-120IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-120-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-120IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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