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参数资料
| 型号： | DS1230AB-100-IND |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于电池） |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 469K |
| 代理商： | DS1230AB-100-IND |
DS1230Y/AB
9 of 12
DC TEST CONDITIONS
AC TEST CONDITIONS
Outputs Open
Output Load: 100 pF + 1TTL Gate
Cycle = 200 ns for operating current
Input Pulse Levels: 0 - 3.0V
All voltages are referenced to ground
Timing Measurement Reference Levels
Input: 1.5V
Output: 1.5V
Input pulse Rise and Fall Times: 5 ns
ORDERING INFORMATION
DS1230 TTP - SSS - III
Operating Temperature Range
blank: 0
° to 70°
IND: -40
° to +85°C
Access Speed
70:
70 ns
85:
85 ns
100:
100 ns
120:
120 ns
150:
150 ns
200:
200 ns
Package Type
blank: 28-pin 600-mil DIP
P:
34-pin PowerCap Module
VCC Tolerance
AB:
±5%
Y:
±10%
DS1230Y/AB NONVOLATILE SRAM, 28-PIN 740-MIL EXTENDED DIP
MODULE
PKG
28-PIN
DIM
MIN
MAX
A IN.
MM
1.480
37.60
1.500
38.10
B IN.
MM
0.720
18.29
0.740
18.80
C IN.
MM
0.355
9.02
0.375
9.52
D IN.
MM
0.080
2.03
0.110
2.79
E IN.
MM
0.015
0.38
0.025
0.63
F IN.
MM
0.120
3.05
0.160
4.06
G IN.
MM
0.090
2.29
0.110
2.79
H IN.
MM
0.590
14.99
0.630
16.00
J IN.
MM
0.008
0.20
0.012
0.30
K IN.
MM
0.015
0.38
0.021
0.53
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230AB-120-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-150-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-200-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-55 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-70 | NVRAM (Battery Based) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230AB-120 | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-120+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-120IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-120-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-120IND+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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