参数资料
型号: DS1230W-150
厂商: DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分类: Static RAM
英文描述: 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DIP28
封装: 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28
文件页数: 6/11页
文件大小: 217K
代理商: DS1230W-150
DS1230W
4 of 11
CAPACITANCE
(tA=25
°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
510
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
510
pF
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(tA: See Note 10) (VCC=3.3V
±=3.0V)
DS1230W-150
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
TYPE
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
150
ns
Access Time
tACC
150
ns
OE to Output Valid
tOE
70
ns
CE to Output Valid
tCO
150
ns
OE or CE to Output Active
tCOE
5ns
5
Output High Z from Deselection
tOD
35
ns
5
Output Hold from Address Change
tOH
5ns
Write Cycle Time
tWC
150
ns
Write Pulse Width
tWP
100
ns
3
Address Setup Time
tAW
0ns
Write Recovery Time
tWR1
tWR2
5
20
ns
12
13
Output High Z from WE
tODW
35
ns
5
Output Active from WE
tOEW
5ns
5
Data Setup Time
tDS
60
ns
4
Data Hold Time
tDH1
tDH2
0
20
ns
12
13
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PDF描述
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