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参数资料
| 型号： | DS1230W |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 256K Nonvolatile SRAM(3.3V 256K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA28 |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | DS1230W |
DS1230W
3.3V 256K Nonvolatile SRAM
DS1230W
PRELIMINARY
030598 1/11
FEATURES
10 years minimum data retention in the absence of
external power
Data is automatically protected during power loss
Replaces 32K x 8 volatile static RAM, EEPROM or
Flash memory
Unlimited write cycles
Low–power CMOS
Read and write access times as fast as 150 ns
Lithium energy source is electrically disconnected to
retain freshness until power is applied for the first time
Optional industrial temperature range of –40
°
C to
+85
°
C, designated IND
JEDEC standard 28–pin DIP package
New PowerCap Module (PCM) package
– Directly surface–mountable module
– Replaceable snap–on PowerCap provides lith-
ium backup battery
– Standardized pinout for all nonvolatile SRAM
products
– Detachment feature on PowerCap allows easy
removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
DQ7
DQ5
DQ4
DQ1
CE
V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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31
30
27
26
23
20
NC
A13
A10
A9
A8
A5
A2
NC
NC
GND
V
BAT
34–PIN POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
1
2
3
4
5
6
7
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23
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19
18
17
16
15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28–PIN ENCAPSULATED PACKAGE
740 MIL EXTENDED
PIN DESCRIPTION
A0 – A14
DQ0 – DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
– Address Inputs
– Data In/Data Out
– Chip Enable
– Write Enable
– Output Enable
– Power (+3.3V)
– Ground
– No Connect
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230Y | 256K Nonvolatile SRAM(256K 非易失性静态RAM) |
| DS1230AB | 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM) |
| DS1231 | Power Monitor Chip(电源监控芯片) |
| DS1231S | Power Monitor Chip(电源监控芯片) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230W-100 | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230W-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230W-100IND | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230W-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230W-150 | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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