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参数资料
| 型号： | DS1230W |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 256K Nonvolatile SRAM(3.3V 256K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA28 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | DS1230W |
DS1230W
030598 6/11
WRITE CYCLE 2
t
WC
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
ADDRESSES
CE
WE
D
OUT
D
IN
DATA IN STABLE
t
AW
t
WP
t
WR2
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
t
COE
t
ODW
t
DS
t
DH2
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 13
POWER–DOWN/POWER–UP CONDITION
V
CC
2.7V
t
F
t
PD
t
R
t
REC
BACKUP CURRENT-
SUPPLIED FROM
LITHIUM BATTERY
CE,
WE
V
TP
t
DR
SLEWS WITH
V
CC
t
PU
V
IH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1230W-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230W-100IND | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230W-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230W-150 | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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