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参数资料
| 型号： | DS1230Y |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256K Nonvolatile SRAM(256K 非易失性静态RAM) |
| 中文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28 |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | DS1230Y |
DS1230Y/AB
042398 10/12
DS1230Y/AB NONVOLATILE SRAM, 34–PIN POWERCAP MODULE
PKG
DIM
INCHES
MIN
NOM
MAX
A
0.920
0.925
0.930
B
0.980
0.985
0.990
C
–
–
0.080
D
0.052
0.055
0.058
E
0.048
0.050
0.052
F
0.015
0.020
0.025
G
0.020
0.025
0.030
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MAY DIFFER FROM THOSE SHOWN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230AB | 256K NV SRAM(256K非易失性SRAM) |
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| DS1231S | Power Monitor Chip(电源监控芯片) |
| DS1232LP(中文) | Low Power MicroMonitor Chip(低功耗微监控芯片) |
| DS1232LPS(中文) | Low Power MicroMonitor Chip(低功耗微监控芯片) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230Y/AB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:256K Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y_10 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-100 | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-100+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-100IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
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