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参数资料
| 型号： | DS1250AB-100+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 11 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 32-EDIP |
| 包装： | 管件 |
19-5647; Rev 12/10
DS1250Y/AB
4096k Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
FEATURES
PIN ASSIGNMENT
?
?
?
?
?
?
?
10 years minimum data retention in the
absence of external power
Data is automatically protected during power
loss
Replaces 512k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
Unlimited write cycles
Low-power CMOS
Read and write access times of 70ns
Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
1
2
3
4
5
6
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23
22
21
20
V CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A1 1
OE
A1 0
CE
DQ7
DQ6
?
?
?
applied for the first time
Full ± 10% V CC operating range (DS1250Y)
Optional ± 5% V CC operating range
(DS1250AB)
Optional industrial temperature range of
-40 ° C to +85 ° C, designated IND
DQ1 14 19 DQ5
DQ2 15 18 DQ4
GND 16 17 DQ3
32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
?
?
JEDEC standard 32-pin DIP package
PowerCap Module (PCM) package
- Directly surface-mountable module
- Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
- Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
- Detachment feature on PCM allows easy
removal using a regular screwdriver
NC
A15
A16
NC
V CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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15
16
17
GND V BAT
34
33
32
31
30
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28
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24
23
22
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20
19
18
A18
A17
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(Uese DS9034PC+ or DS9034PCI+ POWERCAP)
PIN DESCRIPTION
A0 - A18
DQ0 - DQ7
CE
W E
OE
V CC
GND
NC
1 of 10
- Address Inputs
- Data In/Data Out
- Chip Enable
- Write Enable
- Output Enable
- Power (+5V)
- Ground
- No Connect
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1250ABP-70+ | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| DS1250YP-70+ | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| DS1250WP-100+ | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM |
| 346-030-522-202 | CARDEDGE 30POS DUAL .125 GREEN |
| 346-030-522-201 | CARDEDGE 30POS DUAL .125 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1250AB-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1250AB-100IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-70 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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