参数资料
型号: DS1250AB-100+
厂商: Maxim Integrated Products
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32DIP
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 11
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 4M (512K x 8)
速度: 100ns
接口: 并联
电源电压: 4.75 V ~ 5.25 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 32-EDIP
包装: 管件
DS1250Y/AB
A C E L E C T R IC A L C HA R A C T E R IS T IC S (V CC = 5V ± 5% for DS1250AB)
(T A : See Note 10) (V CC = 5V ± 10% for DS1250Y)
DS1250AB-70
PARAMETER
SYMBOL
DS1250Y-70
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
t RC
t ACC
t OE
t CO
70
70
35
70
ns
ns
ns
ns
OE or CE to Output Active
Output High-Z from Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High-Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
5
5
70
55
0
5
15
5
30
0
10
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
ns
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ns
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5
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参数描述
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DS1250AB-70 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube