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参数资料
| 型号： | DS1250ABP-70IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1250Y/AB
PACKAGES
The DS1250 is available in two packages: 32-pin DIP and 34-pin PowerCap Module (PCM). The 32-pin
DIP integrates a lithium battery, an SRAM memory and a nonvolatile control function into a single
package with a JEDEC-standard 600-mil DIP pinout. The 34-pin PowerCap Module integrates SRAM
memory and nonvolatile control into a module base along with contacts for connection to the lithium
battery in the DS9034PC PowerCap. The PowerCap Module package design allows a DS1250 PCM
device to be surface mounted without subjecting its lithium backup battery to destructive high-
temperature reflow soldering. After a DS1250 PCM module base is reflow soldered, a DS9034PC
PowerCap is snapped on top of the PCM to form a complete Nonvolatile SRAM module. The DS9034PC
is keyed to prevent improper attachment. DS1250 module bases and DS9034PC PowerCaps are ordered
separately and shipped in separate containers. See the DS9034PC data sheet for further information.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95R107M010HSAL | CAP TANT 100UF 10V 20% 2824 |
| GMA36DTMD-S664 | CONN EDGECARD 72POS R/A .125 SLD |
| T95R107K010HSAL | CAP TANT 100UF 10V 10% 2824 |
| B230A-13-F | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMA |
| VI-21X-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1250ABP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM |
| DS1250ABP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250BL | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096K Nonvolatile SRAM |
| DS1250BL-100 | 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1250BL-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096K Nonvolatile SRAM |
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