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参数资料
| 型号： | DS1250ABP-70IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1250Y/AB
A C E L E C T R IC A L C HA R A C T E R IS T IC S (V CC = 5V ± 5% for DS1250AB)
(T A : See Note 10) (V CC = 5V ± 10% for DS1250Y)
DS1250AB-70
PARAMETER
SYMBOL
DS1250Y-70
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
t RC
t ACC
t OE
t CO
70
70
35
70
ns
ns
ns
ns
OE or CE to Output Active
Output High-Z from Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High-Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
5
5
70
55
0
5
15
5
30
0
10
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
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PDF描述 |
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| DS1250BL-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096K Nonvolatile SRAM |
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