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参数资料
| 型号： | DS1251YP-70IND+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 40 |
| 类型： | Phantom 计时芯片 |
| 特点： | 闰年，NVSRAM |
| 存储容量： | 512KB |
| 时间格式： | HH:MM:SS:hh（12/24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 电源，电池： | 3V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1251/DS1251P
12 of 20
MEMORY AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = Over the operating range.) (3.3V)
PARAMETER
12B
SYMBOL
13B
DS1251W-120
14B
UNITS
15B
NOTES
MIN
16B
MAX
Read Cycle Time
tRC
120
ns
Access Time
tACC
120
ns
OE
to Output Valid
tOE
60
ns
CE
to Output Valid
tCO
120
ns
OE
or CE to Output Active
tCOE
5
ns
5
Output High-Z from Deselection
tOD
40
ns
5
Output Hold from Address Change
tOH
5
ns
Write Cycle Time
tWC
120
ns
Write Pulse Width
tWP
90
ns
3
Address Setup Time
tAW
0
ns
Write Recovery Time
tWR
20
ns
10
Output High-Z from WE
tODW
40
ns
5
Output Active from WE
tOEW
5
ns
5
Data Setup Time
tDS
50
ns
4
Data Hold Time from WE
tDH
20
ns
4
PHANTOM CLOCK AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = Over the operating range.) (3.3V)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
120
ns
CE
Access Time
tCO
100
ns
OE
Access Time
tOE
100
ns
CE
to Output Low-Z
tCOE
5
ns
OE
to Output Low-Z
tOEE
5
ns
CE
to Output High-Z
tOD
40
ns
5
OE
to Output High-Z
tODO
40
ns
5
Read Recovery
tRR
20
ns
Write Cycle Time
tWC
120
ns
Write Pulse Width
tWP
100
ns
3
Write Recovery
tWR
20
ns
10
Data Setup Time
tDS
45
ns
4
Data Hold Time
tDH
0
ns
4
CE
Pulse Width
tCW
105
ns
RST
Pulse Width
tRST
120
ns
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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