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参数资料
| 型号： | DS1258AB-100# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40DIP |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (128K x 16) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 40-DIP 模块（0.610"，15.495mm） |
| 供应商设备封装： | 40-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1258Y/AB
WRITE CYCLE 1
SEE NOTE 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
WRITE CYCLE 2
5 of 8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC4216CMS#TRPBF | IC CNTRLR HOT SWAP 10-MSOP |
| VE-B32-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 15V 150W |
| GRM188F51C684ZA01D | CAP CER 0.68UF 16V Y5V 0603 |
| DS1258AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40DIP |
| VE-2WB-CW-S | CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258AB-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258AB-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258AB-70 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258AB-70# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258AB-70IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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