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参数资料
| 型号： | DS1258W-100IND# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40DIP |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (128K x 16) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 40-DIP 模块（0.610"，15.495mm） |
| 供应商设备封装： | 40-EDIP |
| 包装： | 盒 |
DS1258W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Soldering Temperature
Caution: Do Not Reflow
-0.3V to +4.6V
0°C to 70°C, -40 ° C to +85 ° C for Industrial Parts
-40°C to +70°C, -40 ° C to +85 ° C for Industrial Parts
+260°C for 10 seconds
(Wave or Hand Solder Only)
* This
is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above
those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(t A : See Note 10)
PARAMETER
Power Supply Voltage
Logic 1
Logic 0
SYMBOL
V CC
V IH
V IL
MIN
3.0
2.2
0.0
TYP
3.3
MAX
3.6
V CC
0.4
UNITS
V
V
V
NOTES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(t A : See Note 10) (V CC = 3.3V ± 0.3V)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current CE 3 V IH ￡ V CC
SYMBOL
I IL
I IO
MIN
-2.0
-1.0
TYP
MAX
+2.0
+1.0
UNITS
m A
m A
NOTES
Output Current @ 2.2V
Output Current @ 0.4V
I OH
I OL
-1.0
2.0
mA
mA
Standby Current CEU , CEL =2.2V
Standby Current CEU , CEL =V CC -0.2V
Operating Current
I CCS1
I CCS2
I CCO1
100
60
450
250
100
m A
m A
mA
Write Protection Voltage
V TP
2.8
2.9
3.0
V
CAPACITANCE
(t A = +25 ° C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
20
5
MAX
25
10
UNITS
pF
pF
NOTES
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258W-100IND# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-150 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-150# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258WP-100 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
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