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参数资料
| 型号： | DS1258W-100IND# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40DIP |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (128K x 16) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 40-DIP 模块（0.610"，15.495mm） |
| 供应商设备封装： | 40-EDIP |
| 包装： | 盒 |
DS1258W
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(t A : See Note 10)
PARAMETER
V CC Fail Detect to CE and WE Inactive
SYMBOL
t PD
MIN
TYP
MAX
1.5
UNITS
m s
NOTES
11
V CC slew from V TP to 0V
V CC slew from 0V to V TP
V CC Valid to CE and WE Inactive
V CC Valid to End of Write Protection
t F
t R
t PU
t REC
150
150
2
125
m s
m s
ms
ms
(t A = +25 ° C)
PARAMETER
Expected Data Retention Time
SYMBOL
t DR
MIN
10
TYP
MAX
UNITS
years
NOTES
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery
backup mode.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AYM25DRST | CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258W-100IND# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-150 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-150# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258W-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
| DS1258WP-100 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile |
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