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参数资料
| 型号： | DS1265AB-70 |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 36-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1265Y/AB
REVISION HISTORY
REVISION
DATE
11/10
DESCRIPTION
Updated the storage information, soldering temperature, and lead
temperature information in the Absolute Maximum Ratings section;
removed the -100 MIN/MAX information from the AC Electrical
Characteristics table; updated the Ordering Information table
(removed -100 parts and leaded -70 parts); replaced the package
outline drawing with the Package Information table
8 of 8
PAGES
CHANGED
1, 3, 4, 7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T97R156K050CAS | CAP TANT 15UF 50V 10% 3024 |
| VE-2WR-CX | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W |
| CDBB1100-G | DIODE SCHOTTKY 1A 100V DO-214AA |
| GMM06DTMH | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| GJM0335C1E3R9CB01D | CAP CER 3.9PF 25V NP0 0201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1265AB-70+ | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265AB-70IND | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265AB-70-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1265AB-70IND+ | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265W | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
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