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参数资料
| 型号： | DS1265W-150+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 8MBIT 150NS 36DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 8M（1M x 8） |
| 速度： | 150ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 36-EDIP |
| 包装： | 盒 |
DS1265W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature Range
Lead Temperature (soldering, 10s)
-0.3V to +4.6V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-40°C to +85°C
+260°C
Note: EDIP is wave or hand soldered only.
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect
reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
Power-Supply Voltage
Logic 1 Input Voltage
Logic 0 Input Voltage
SYMBOL
V CC
V IH
V IL
MIN
3.0
2.2
0.0
TYP
3.3
MAX
3.6
V CC
+0.4
UNITS
V
V
V
NOTES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A : See Note 10; V CC = 3.3V ±0.3V)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current
SYMBOL
I IL
I IO
MIN
-2.0
-2.0
TYP
MAX
+2.0
+2.0
UNITS
μ A
μ A
NOTES
Output Current at 2.2V
Output Current at 0.4V
I OH
I OL
-1.0
2.0
mA
mA
Standby Current CE = 2.2V
Standby Current CE = V CC - 0.2V
Operating Current
I CCS1
I CCS2
I CCO1
150
100
250
150
50
μ A
μ A
mA
Write Protection Voltage
V TP
2.8
2.9
3.0
V
CAPACITANCE
(T A = +25 ° C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
10
10
MAX
20
20
UNITS
pF
pF
NOTES
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FA5B010HP1 | CONN HEADER R/A ZIF 10POS GOLD |
| FA5B036HP1 | CONN FPC/FFC 36POS 0.5MM R/A SMD |
| AYF337165 | CONN FPC 71POS SMD Y3BW |
| DS1265Y-100+ | IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36DIP |
| DS1265Y-70+ | IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1265W-150+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1265W-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM |
| DS1265Y | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:8M Nonvolatile SRAM |
| DS1265Y/AB | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:8M Nonvolatile SRAM |
| DS1265Y-100 | 功能描述:NVRAM 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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