参数资料
型号: DS1330ABP-70IND
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 10/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM
标准包装: 40
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 70ns
接口: 并联
电源电压: 4.75 V ~ 5.25 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 34-PowerCap? 模块
供应商设备封装: 34-PowerCap 模块
包装: 管件
DS1330Y/AB
REVISION HISTORY
REVISION
DATE
10/10
DESCRIPTION
Updated the storage, lead, and soldering information in the Absolute
Maximum Ratings section, removed the unused AC timing specs in
the AC Electrical Characteristics table, updated the Ordering
Information table, replaced the package outline drawing with the
Package Information table
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PAGES
CHANGED
1, 4, 5, 9
相关PDF资料
PDF描述
DS1330YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM
RCM08DTBN CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
GMM43DTBS CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD
RCM08DTBH CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
DS1330WP-100IND IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM
相关代理商/技术参数
参数描述
DS1330ABP-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330ABP-70IND+ 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1330BL-100 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1330BL-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330BL-70 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)