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参数资料
| 型号： | DS1330ABP-70IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1330Y/AB
WRITE CYCLE 1
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 12
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1330YP-70IND | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| RCM08DTBN | CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD |
| GMM43DTBS | CONN EDGECARD 86POS R/A .156 SLD |
| RCM08DTBH | CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD |
| DS1330WP-100IND | IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1330ABP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330ABP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1330BL-100 | 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1330BL-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330BL-70 | 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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