参数资料
型号: DS1330YP-70IND
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 4/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM
标准包装: 40
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 70ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 34-PowerCap? 模块
供应商设备封装: 34-PowerCap 模块
包装: 管件
DS1330Y/AB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature Range
Lead Temperature (soldering, 10s)
Soldering Temperature (reflow)
-0.3V to +6.0V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-55°C to +125°C
+260°C
+260°C
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
DS1330AB Power Supply Voltage
DS1330Y Power Supply Voltage
Logic 1
Logic 0
SYMBOL
V CC
V CC
V IH
V IL
MIN
4.75
4.5
2.2
0.0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V CC
0.8
UNITS
V
V
V
V
NOTES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V CC = 5V ± 5% for DS1330AB)
(T A : See Note 10) (V CC = 5V ± 10% for DS1330Y)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current CE ≥ V IH ≤ V CC
Output Current @ 2.4V
Output Current @ 0.4V
Standby Current CE =2.2V
Standby Current CE =V CC -0.5V
SYMBOL
I IL
I IO
I OH
I OL
I CCS1
I CCS2
MIN
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
TYP
200
50
MAX
+1.0
+1.0
600
150
UNITS
μ A
μ A
mA
mA
μ A
μ A
NOTES
14
14
Operating Current
I CCO1
85
mA
Write Protection Voltage (DS1330AB)
Write Protection Voltage (DS1330Y)
V TP
V TP
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
V
V
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PMEG2020EJ,115 SCHOTTKY RECT 20V 2A SOD323F
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