- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3918 > DS1350ABP-70IND+ (Maxim Integrated Products)IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | DS1350ABP-70IND+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1350Y/AB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature Range
Lead Temperature (soldering, 10s)
Soldering Temperature (reflow)
-0.3V to +6.0V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-55°C to +125°C
+260°C
+260°C
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
DS1350AB Power Supply Voltage
DS1350Y Power Supply Voltage
Logic 1
Logic 0
SYMBOL
V CC
V CC
V IH
V IL
MIN
4.75
4.5
2.2
0.0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V CC
0.8
UNITS
V
V
V
V
NOTES
DC E L E C T R IC A L C HA R A C T E R IS T IC S (V CC = 5V ± 5% for DS1350AB)
(T A : See Note 10) (V CC = 5V ± 10% for DS1350Y)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current CE ≥ V IH ≤ V CC
Output Current @ 2.4V
Output Current @ 0.4V
Standby Current CE =2.2V
Standby Current CE =V CC -0.5V
SYMBOL
I IL
I IO
I OH
I OL
I CCS1
I CCS2
MIN
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
TYP
200
50
MAX
+1.0
+1.0
600
150
UNITS
μ A
μ A
mA
mA
μ A
μ A
NOTES
14
14
Operating Current
I CCO1
85
mA
Write Protection Voltage (DS1350AB)
Write Protection Voltage (DS1350Y)
V TP
V TP
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
V
V
CAPACITANCE
(T A = +25 ° C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
5
5
MAX
10
10
UNITS
pF
pF
NOTES
4 of 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AYF217135 | CONN FPC 0.2MM 71POS SMD R/A |
| DS1350YP-70+ | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| XF2J-2424-11A-R100 | CONNECTOR FPC 24POS 0.5MM SMD |
| 395-026-540-802 | CARD EDGE 26POS DL .100X.200 BLK |
| 395-026-540-801 | CARD EDGE 26POS DL .100X.200 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1350ABP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350BL-100 | 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1350BL-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1350BL-70 | 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1350BL-70IND | 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。