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参数资料
| 型号： | DS1350WP-100IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1345W
FRESHNESS SEAL
Each DS1345W is shipped from Dallas Semiconductor with its lithium energy source disconnected,
guaranteeing full energy capacity. When V CC is first applied at a level greater than V TP , the lithium
energy source is enabled for battery backup operation.
PACKAGES
The 34-pin PowerCap Module integrates SRAM memory and nonvolatile control into a module base
along with contacts for connection to the lithium battery in the DS9034PC PowerCap. The PowerCap
Module package design allows a DS1345W device to be surface mounted without subjecting its lithium
backup battery to destructive high-temperature reflow soldering. After a DS1345W is reflow soldered, a
DS9034PC is snapped on top of the PCM to form a complete Nonvolatile SRAM module. The
DS9034PC is keyed to prevent improper attachment. DS1345W module bases and DS9034PC
PowerCaps are ordered separately and shipped in separate containers. See the DS9034PC data sheet for
further information.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-JW0-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W |
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| DS1265W-100 | IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36DIP |
| AM3XF3 | BATTERY PK 4.5V AA SIZE ALKALINE |
| ADM1178-2ARMZ-R7 | IC CTRLR HOTSWAP 16.5V 10-MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1350WP-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350WP-150 | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350WP-150+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350WP-150IND | 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 150NS 34PCM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1350WP-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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