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参数资料
| 型号： | DS1350WP-100IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1345W
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature Range
Lead Temperature (soldering, 10s)
Soldering Temperature (reflow)
-0.3V to +4.6V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-55°C to +125°C
+260°C
+260°C
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
Power Supply Voltage
Logic 1
Logic 0
SYMBOL
V CC
V IH
V IL
MIN
3.0
2.2
0.0
TYP
3.3
MAX
3.6
V CC
0.4
UNITS
V
V
V
NOTES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A : See Note 10) (V CC = 3.3V ± 0.3V)
PARAMETER
Input Leakage Current
I /O Leakage Current
CE ≥ V IH ≤ V CC
Output Current @ 2.2V
Output Current @ 0.4V
Standby Current CE = 2.2V
Standby Current
CE = V CC -0.2V
SYMBOL
I IL
I IO
I OH
I OL
I CCS1
I CCS2
MIN
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
TYP
50
30
MAX
+1.0
+1.0
250
150
UNITS
μA
μA
mA
mA
μA
μA
NOTES
14
14
Operating Current
I CCO1
50
mA
Write Protection Voltage
V TP
2.8
2.9
3.0
V
CAPACITANCE
(T A = +25°C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
5
5
MAX
10
10
UNITS
pF
pF
NOTES
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PDF描述 |
|---|---|
| VI-JW0-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W |
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| AM3XF3 | BATTERY PK 4.5V AA SIZE ALKALINE |
| ADM1178-2ARMZ-R7 | IC CTRLR HOTSWAP 16.5V 10-MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1350WP-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350WP-150 | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350WP-150+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350WP-150IND | 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 150NS 34PCM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1350WP-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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