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参数资料
| 型号： | DS2016R-100+ |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 100NS 24SOIC |
| 标准包装： | 31 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
DS2016
AC CHARACTERISTICS READ CYCLE
(T A = -40°C to +85°C; V CC = 5V ±10%)
PARAMETER
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
CE or OE to Output
SYMBOL
t RC
t ACC
t OE
t CO
t COE
DS2016-100
MIN TYP MAX
100
100
50
100
5
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
Active
Output High-Z from
Deselection
Output Hold from
Address Change
t OD
t OH
5
5
35
ns
ns
AC CHARACTERISTICS WRITE CYCLE
(T A = -40°C to +85°C ; V CC = 5V ±10%)
PARAMETER
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery
Time
Output High-Z from
WE
Output Active from
WE
Data Setup Time
Data Hold Time
SYMBOL
t WC
t WP
t AW
t WR
t ODW
t OEW
t DS
t DH
DS2016-100
MIN TYP MAX
100
75
0
10
35
5
40
0
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(T A = -40°C to +85°C)
PARAMETER SYMBOL
CONDITIONS
MIN TYP
MAX
UNITS
Data Retention Supply
Voltage
Data Retention
Current at 5.5V
Data Retention
Current at 2.0V
V DR
I CCR1
I CCR2
CE
CE
CE
3 V CC - 0.5V
3 V CC - 0.5V
3 V CC - 0.5V
2.0
0.1*
50*
5.5
1
750
V
μA
nA
Chip Deselect to Data
Retention
t CDR
0
μs
Recovery Time t R
* Typical values are at +25°C
3 of 8
2
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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