参数资料
型号: DS2030L-100#
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 7/12页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA
标准包装: 18
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 100ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 256-BBGA
供应商设备封装: 256-BGA(27x27)
包装: 托盘
DS2030L 3.3V Single-Piece 256kb
Nonvolatile SRAM
Typical Operating Characteristics
(Conditions: V CC = +3.3V, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
SUPPLY CURRENT
vs. OPERATING FREQUENCY
SUPPLY CURRENT
vs. SUPPLY VOLTAGE
BATTERY CHARGER CURRENT
vs. BATTERY VOLTAGE
20
18
16
T A = +25 ° C
5MHz 100% DUTY CYCLE
200
190
V CC = CE
T A = +25 ° C
V BAT = V CHRG
0.25
0.20
V CC = CE = 3.3V
14
12
180
0.15
10
8
6
4
5MHz 50% DUTY CYCLE
1MHz 100% DUTY CYCLE
170
160
0.10
0.05
V CHRG
2
1MHz 50% DUTY CYCLE
0
150
0
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.5
V CC (V)
V CHRG PERCENT CHANGE
vs. TEMPERATURE
3.00
V CC (V)
WRITE PROTECTION VOLTAGE
vs. TEMPERATURE
3.5
DELTA BELOW V CHRG (V)
DQ OUTPUT-VOLTAGE HIGH
vs. DQ OUTPUT-CURRENT HIGH
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
V CC = 3.3V
V BAT = V CHRG
2.95
2.90
2.85
3.3
3.1
2.9
2.7
V CC = 3.3V
-0.4
-0.5
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
2.80
-40
-20
0
20
40
60
80
2.6
-5
-4
-3
-2
-1
0
TEMPERATURE ( ° C)
DQ OUTPUT-VOLTAGE LOW
vs. DQ OUTPUT-CURRENT LOW
TEMPERATURE ( ° C)
RST OUTPUT-VOLTAGE LOW
vs. OUTPUT-CURRENT LOW
I OH (mA)
RST VOLTAGE
vs. V CC DURING POWER-UP
0.4
V CC = 3.3V
0.6
0.5
V CC = 2.8V
4.0
3.5
T A = +25 ° C
0.3
0.4
3.0
2.5
0.2
0.3
2.0
0.1
0.2
0.1
1.5
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
5
10
15
20
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I OL (mA)
I OL (mA)
V CC POWER-UP (V)
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PDF描述
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