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参数资料
| 型号： | DS2436Z |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | Memory IC:Other |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, SOIC-8 |
| 文件页数： | 20/29页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | DS2436Z |
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DS2436
27 of 29
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on VDD, Relative to Ground
-0.3V to +12V
Voltage on any other pin relative to Ground
-0.3V to +7V
Operating Temperature
-40°C to +85°C
Storage Temperature
-55°C to +125°C
Soldering Temperature
260°C for 10 seconds
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(-40°C to +85°C; VDD =2.4V to 10.0V)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Supply Voltage
VDD
2.4
10
V
Data Pin
DQ
-0.3
+5.5
V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(-40°C to +85°C; VDD =2.4V to 10.0V)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Temperature Accuracy
(=TACTUAL -TMEASURED)
±2
°C
Input Logic High
VIH
2.0
5.5
V
Input Logic Low
VIL
-0.3
+0.5
V
Output Sink Current
IL
VDQ=0.4V
-4.0
mA
Standby
5
A
Active
Temperature,
Voltage
Conversions
100
A
1
Standby Current
IDD
Active
EEPROM
writes
1
mA
Input Resistance
RI
DQ line in a
high impedance
state and IDQ =0
500
k
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