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参数资料
| 型号： | DS3030W-100# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BBGA |
| 供应商设备封装： | 256-BGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
3.3V Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM
with Clock
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V CC = 3.3V ±0.3V, T A = -40 ° C to +85 ° C.)
PARAMETER
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
RTC OE to Output Valid
CE or CS to Output Valid
OE or CE or CS to Output Active
Output High Impedance from
Deselection
Output Hold from Address
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High Impedance from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
Chip-to-Chip Setup Time
SYMBOL
t RC
t ACC
t OE
t OEC
t CO
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
t CCS
(Note 2)
(Note 2)
(Note 3)
(Note 4)
(Note 5)
(Note 2)
(Note 2)
(Note 6)
(Note 4)
(Note 5)
CONDITIONS
DS3030W-100
MIN MAX
100
100
50
60
100
5
40
5
100
75
0
5
20
40
5
40
0
20
40
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(T A = -40 ° C to +85 ° C.)
PARAMETER
V CC Fail Detect to CE , CS , and
WE Inactive
SYMBOL
t PD
(Note 7)
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
1.5
UNITS
μs
V CC Slew from V TP to 0V
V CC Slew from 0V to V TP
V CC Valid to CE , CS , and WE
Inactive
V CC Valid to End of Write
Protection
t F
t R
t PU
t REC
150
150
2
125
μs
μs
ms
ms
V CC Fail Detect to RST Active
t RPD
(Note 1)
3.0
μs
V CC Valid to RST Inactive
t RPU
(Note 1)
40
350
525
ms
_____________________________________________________________________
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS3030W-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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