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参数资料
| 型号： | DS3070W-100# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 15/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 16MBIT 100NS 256BGA |
| 标准包装： | 18 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BBGA |
| 供应商设备封装： | 256-BGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
3.3V Single-Piece 16Mb Nonvolatile SRAM
with Clock
CE
t AS
WE OR OE
INADVERTENT WRITE OR READ OF
RTC FLAGS REGISTER
INTENTIONAL WRITE OR
READ AT ADDRESS Xh
WILL RESET IRQ/FT
CS
A0 – A3
IRQ/FT
ADDRESS 0h
ADDRESS Xh
HIGH
IMPEDANCE
Figure 2. Prevent Accidental Clearing of IRQ Waveforms
V TP
V CC
ABE, AE
AF
IRQ/FT
HIGH
IMPEDANCE
HIGH
IMPEDANCE
Figure 3. Battery Back-up Mode Alarm Waveforms
____________________________________________________________________
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS3070W-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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