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参数资料
| 型号： | DS3070W-100# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 8/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 16MBIT 100NS 256BGA |
| 标准包装： | 18 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BBGA |
| 供应商设备封装： | 256-BGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
3.3V Single-Piece 16Mb Nonvolatile SRAM
with Clock
Typical Operating Characteristics (continued)
(V CC = 3.3V, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
V CHARGE PERCENT CHANGE
vs. TEMPERATURE
V TP vs. TEMPERATURE
DQ V OH vs. DQ I OH
1.0
0.5
V CC = 3.3V,
V BAT = V CHARGE
3.00
2.95
3.5
3.3
V CC = 3.3V
3.1
0
2.90
2.9
-0.5
-1.0
2.85
2.80
2.7
2.5
-40
-15
10
35
60
85
-40
-15
10
35
60
85
-5
-4
-3
-2
-1
0
TEMPERATURE ( ° C)
DQ V OL vs. DQ I OL
TEMPERATURE ( ° C)
IRQ/FT OUTPUT VOLTAGE LOW
vs. OUTPUT CURRENT LOW
I OH (mA)
0.4
V CC = 3.3V
0.6
V CC = 3.3V
0.5
0.3
0.4
0.2
0.3
0.2
0.1
0.1
0
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
I OL (mA)
RST OUTPUT VOLTAGE LOW
I OL (mA)
RST VOLTAGE
0.6
vs. OUTPUT CURRENT LOW
V CC = 2.8V
4.0
3.5
vs. V CC DURING POWER-UP
T A = +25°C
0.5
3.0
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
5
10
15
20
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I OL (mA)
V CC POWER-UP (V)
8
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| DS3070W-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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