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参数资料
| 型号： | DSA10I100PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
   DSA10I100PM preliminary V = VR 100 Symbol Definition Ratings typ. max. IR V IFAV A VF 0.89 RthJC 4.5 K/W min. 10 VRSM V 200 T = 25°CVJ T = °CVJ 125 mA 2 V = VR 100 T = 25°CVJ I = AF 10 V T = °CC 140 Ptot 35 W T = 25°CC RthCH K/W max. non-repetitive reverse blocking voltage reverse current, drain current forward voltage drop total power dissipation Conditions Unit 1.04 T = 25°CVJ VF0 V 0.45 T = °CVJ 175 rF 16.1 m? V 0.71 T = °CVJ 125 I = AF 10 V 0.87 I = AF 20 I = AF 20 threshold voltage slope resistance for power loss calculation only μA VRRM V 100 max. repetitive reverse blocking voltage T = 25°CVJ CJ 96 junction capacitance V = VR 12 T = 25°Cf = 1 MHz VJ pF IFSM t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR VJ max. forward surge current T = °CVJ 175 240 A rectangular 0.5d = average forward current thermal resistance junction to case thermal resistance case to heatsink Schottky 100 0.50 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. 20131031a Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified ? 2013 IXYS all rights reserved |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSA10J | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:1.0A Power Rectifier |
| DSA10L | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:1.0A Power Rectifier |
| DSA1-12D | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSA1-16D | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amps 1600V 1600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSA1-18D | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1800V 2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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