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参数资料
| 型号： | DSA10I100PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 100V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
        DSA10I100PM preliminary Ratings DateCode Logo Part Number Assembly Code Product Marking Assembly Line XXXXXX YYWWZ abcdef D = S = A = 10 = I = 100 = PM = Part number Diode Schottky Diode low VF Single Diode TO-220ACFP (2) Current Rating [A] Reverse Voltage [V] Package Top °C MD Nm 0.6 mounting torque 0.4 TVJ °C 175 virtual junction temperature -55 Weight g 2 Symbol Definition typ. max. min. Conditions operation temperature Unit FC N 60 mounting force with clip 20 VISOL V t = 1 second V t = 1 minute isolation voltage mm mm 3.2 2.7 2.5 2.5 dSpp/App creepage distance on surface | striking distance through air dSpb/Apb terminal to backside IRMS RMS current 35 A per terminal 150 -55 terminal to terminal TO-220FP Delivery Mode Quantity Code No. Part Number Marking on Product Ordering 50/60 Hz, RMS; I ISOL ≤ 1 mA DSA10I100PM 503362 Tube 50 DSA10I100PM Standard 2080 2500 Tstg °C 150 storage temperature -55 threshold voltage V 0.45 m? V0 max R0 max slope resistance * 12.9 Equivalent Circuits for Simulation T =VJ 175 °C I V0 R 0 Schottky * on die level IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. 20131031a Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified ? 2013 IXYS all rights reserved |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| DSA2I100SB | DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB |
| DSA30I100PA | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO-220 |
| DSA30I150PA | DIODE SCHOTTKY 150V 30A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSA10J | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:1.0A Power Rectifier |
| DSA10L | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:1.0A Power Rectifier |
| DSA1-12D | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSA1-16D | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1 Amps 1600V 1600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSA1-18D | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1800V 2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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