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参数资料
| 型号： | DSA35-18A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 40K |
| 描述： | DIODE ANODE 1800V 49A DO-203AB |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1800V（1.8kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 49A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.55V @ 150A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 4mA @ 1800V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-203AB |
| 包装： | 散装 |
          ? 2000 IXYS All rights reserved 1 - 2 VRSM V(BR)min VRRM Anode Cathode V V V on stud on stud 900 - 800 DS35-08A DSI35-08A 1300 - 1200 DS35-12A DSI35-12A 1300 1300 1200 DSA35-12A DSAI35-12A 1700 1750 1600 DSA35-16A DSAI35-16A 1900 1950 1800 DSA35-18A DSAI35-18A Only for Avalanche Diodes Symbol Test Conditions Maximum Ratings I IF(RMS)F(AVM) T TVJcase = 100C; 180 sine 49 A = TVJM 80 A PRSM DSA(I) types, TVJ = T VJM, tp = 10 s11kWInternational standard package,JEDEC DO-203 AB (DO-5) IFSM T VVJR = 45C; t = 10 ms (50 Hz), sine 650 A = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 690 A T VVJR = T = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 640 AVJM t = 10 ms (50 Hz), sine 600 A I2t T VVJR = 45C t = 10 ms (50 Hz), sine 2100 A2s = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 2000 A2s T VVJR = T = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 1700 AVJM 2s t = 10 ms (50 Hz), sine 1800 A2s T TVJ TVJMstg -40...+180 C 180 C -40...+180 C Md Mounting torque 4.5-5.5 Nm 40-49 lb.in. Weight 15 g VRRM = 800-1800 V IF(RMS) = 80 A IF(AV)M = 49 A Features Planar glassivated chips Applications High power rectifiers Field supply for DC motors Power supplies Advantages Space and weight savings Simple mounting Improved temperature and power cycling Reduced protection circuits Symbol Test Conditions Characteristic Values IR TVJ = TVJM; VR = V RRM 4mA VF IF= 150 A; TVJ = 25 C 1.55 V V r T0 T For power-loss calculations only 0.85 V TVJ = TVJM 4.5 m R RthJCthJH DC current 1.05 K/W DC current 1.25 K/W d dS aA Creepage distance on surface 4.05 mm Strike distance through air 3.9 mm Max. allowable acceleration 100 m/s2 Dimensions in mm (1 mm = 0.0394") Data according to IEC 60747 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions DS 35 DSI 35 DSA 35 DSAI 35 Rectifier Diode Avalanche Diode A = Anode C = Cathode DO-203 AB DS DSIA DSA DSAIC C A 1/4-28UNF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJR26FP501P | TRIMMER 500 OHM 0.25W TH |
| UB226SKG035F | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| T95V106M6R3CSSL | CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410 |
| NR6028T101M | INDUCTOR 100UH .62A 20% SMD |
| RJR26FP200P | TRIMMER 20 OHM 0.25W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSA3A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:GENERAL-USE RECTIFIER DIODE |
| DSA3A1 | 制造商:Hitachi 功能描述:Diode Switching 100V 3A 2-Pin |
| DSA3A2 | 制造商:Hitachi 功能描述:Diode Switching 200V 3A 2-Pin |
| DSA3A4 | 制造商:Hitachi 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| DSA3G0100L | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Small Sig Transistor 1.2x1.2mm Flat lead RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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