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参数资料
| 型号： | DSA35-18A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 40K |
| 描述： | DIODE ANODE 1800V 49A DO-203AB |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1800V（1.8kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 49A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.55V @ 150A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 4mA @ 1800V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-203AB |
| 包装： | 散装 |
      ? 2000 IXYS All rights reserved 2 - 2 11023456789ms 2000 4000 6000 8000A2s 1000 10000 10-3 10-2 10-1 100 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900A 1000 0.5 1.0 1.5 2.0V 0 50 100 150 200 250 0 20406080A 0 50 100 150 2000 °C 0 20 40 60 80 100 10-3 10-2 10-1 100 101 102 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 I2t IFSM IF A VF t s t PF W IF(AV)M Tamb t s ZthJH K/W 0 40 80 120 160 200°C 0 10 20 30 40 50 60 IF(AV)M Tcase A RthJH for various conduction angles d: dRthJH (K/W) DC 1.25 180 1.37 120 1.47 60 1.74 30 2.08 Constants for ZthJH calculation: iRthi (K/W) t i (s) 1 0.10 0.0012 2 0.25 0.1181 3 0.70 0.6540 4 0.20 2.0 DS 35 DSI 35 DSA 35 DSAI 35 Fig. 6 Transient thermal impedance junction to heatsink Fig. 1 Forward characteristics Fig. 2 Surge overload current IFSM: crest value, t: duration Fig. 3 I2t versus time (1-10 ms) Fig. 4 Power dissipation versus forward current and ambient temperature Fig. 5 Max. forward current at case temperature 180° sine TVJ = 180°C TVJ = 180°C TVJ = 45°C VR = 0 V 50Hz, 80%VRRM DC 180° sin 120° 60° 30° typ. lim. TVJ= 180°C TVJ= 25°C TVJ = 45°C RthJA : 1.5 K/W 1.9 K/W 2.3 K/W 3.9 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJR26FP501P | TRIMMER 500 OHM 0.25W TH |
| UB226SKG035F | SWITCH PUSH DPDT 0.4VA 28V |
| T95V106M6R3CSSL | CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410 |
| NR6028T101M | INDUCTOR 100UH .62A 20% SMD |
| RJR26FP200P | TRIMMER 20 OHM 0.25W TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSA3A | 制造商:HITACHI 制造商全称:Hitachi Semiconductor 功能描述:GENERAL-USE RECTIFIER DIODE |
| DSA3A1 | 制造商:Hitachi 功能描述:Diode Switching 100V 3A 2-Pin |
| DSA3A2 | 制造商:Hitachi 功能描述:Diode Switching 200V 3A 2-Pin |
| DSA3A4 | 制造商:Hitachi 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| DSA3G0100L | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Small Sig Transistor 1.2x1.2mm Flat lead RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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